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PN结的结构

时间:2012-09-02 14:10来源:未知 作者:杨豫 点击:
考虑两块半导体,一块是n型,一块是p型。在n 型半导体中电子很多而空穴很少,在p 型半导体中空穴很多而电子很少。 当这两块半导体结合形成pn结时,由于它们之间存在载流子浓度梯度,导致了空穴从p区到n区,电子从n区到p区的扩散运动。 对于p 区,空穴离开后,留下了不可...

    考虑两块半导体,一块是n型,一块是p型。在n 型半导体中电子很多而空穴很少,在p 型半导体中空穴很多而电子很少。

    当这两块半导体结合形成pn结时,由于它们之间存在载流子浓度梯度,导致了空穴从p区到n区,电子从n区到p区的扩散运动。

    对于p 区,空穴离开后,留下了不可动的带负电的电离受主,这些电离受主,没有正电荷与之保持电中性,因此,在p-n结附近p 区一侧出现了一个负电区域。同理,在p-n结附近n 区一侧出现了由电离施主构成的一个正电荷区,通常就把在p-n结附近的这些电离施主和电离受主所带的电荷称为空间电荷。它们所存在的区域称为空间电荷区。

    空间电荷区中的这些电荷产生了从n 区指向p区,即从正电荷指向负电荷的电场,称为内建电场。在内建电场的作用下,载流子作漂移运动。显然,电子和空穴的漂移运动方向与它们各自的扩散运动方向相反。因此, 内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。


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